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MC14584BDR2Gの電子工学のサーキット ボードは統合された半導体をプログラムした
標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
| NJM2575F1 | 6533 | JRC | 05+ | SOT23-6 |
| NJM2902M | 76000 | JRC | 16+ | SOP-14 |
| NJM4565D | 62000 | JRC | 16+ | SOP-14 |
| NJM4565M | 78000 | JRC | 13+ | SOP-8 |
| NJM4741D | 5137 | JRC | 13+ | DIP-14 |
| NJM4741M | 6091 | JRC | 16+ | SOP-14 |
| NJW0302G/NJW0281G | 5000 | 16+ | TO-3P | |
| NLCV32T-3R3M-PF | 8000 | TDK | 06+ | SMD |
| NLFC322522T-100K-PF | 12000 | TDK | 08+ | SMD |
| NLFC322522T-2R2M-PF | 20000 | TDK | 08+ | SMD |
| NPCE781LAODX | 2831 | NUVOTON | 10+ | QFP |
| NR6028T4R7M | 79000 | TAIYO | 11+ | SMD |
| NR6045T6R3M | 53000 | TAIYO | 14+ | SMD |
| NRF24L01 | 5018 | 北欧人 | 16+ | QFN20 |
| NRF51822-QFAA | 7026 | 北欧人 | 16+ | QFN48 |
| NSR0230P2T5G | 140000 | 14+ | SOD-923 | |
| NSR0340V2T1G | 21000 | 12+ | SOD-523 | |
| NT5DS16M16CS-6K | 7077 | NANYA | 09+ | TSOP-66 |
| NT5DS64M8CS-5T | 4011 | NANYA | 16+ | TSOP-66 |
| NTD3055L104T4G | 20220 | 16+ | TO-252 | |
| NTD5802NT4G | 19297 | 14+ | TO-252 | |
| NTD5865NLT4G | 60000 | 14+ | TO-252 | |
| NTF3055-100T1G | 16102 | 15+ | SOT-223 | |
| NTF3055L108T1G | 11716 | 15+ | SOT-223 | |
| NTF3055L175T1G | 16173 | 09+ | SOT-223 | |
| NTMD4820NR2G | 15124 | 13+ | SOT-8 | |
| NTR1P02LT1G | 143000 | 05+ | SOT-8 | |
| NTR2101PT1G | 27000 | 07+ | SOT-23 | |
| NTR4501NT1G | 76000 | 15+ | SOT-23 | |
| NTUD3169CZT5G | 11787 | 16+ | SOT-963 |
MC14584B
Schmittの六角形の制動機
MC14584B六角形のSchmittの制動機はMOS P−channelおよび単一の単一構造のN−channelの強化モード装置によって組み立てられる。これらの装置は低い電力の消滅や高いノイズ耐性が望まれる第一次使用を見つける。MC14584BはMC14069UB六角形のインバーターの代わりに使用される高められたノイズ耐性がゆっくり変更の波形を「」平方することができるようにかもしれない。
特徴
•供給電圧の範囲= 3.0 Vdcから18 Vdc
•評価される温度較差上のLow−power 2つのTTLの負荷かLow−power 1つのショットキーTTLの負荷を運転することができる
•すべての入力の二重ダイオードの保護
•MC14069UBを取り替えるのに使用することができる
•より大きいヒステリシスのために、CD40106BおよびMM74Cl4のためのPin−for−Pinの取り替えであるMC14106Bを使用しなさい
•Pb−Freeのパッケージは利用できる
最高の評価（VSSに参照される電圧）
| 記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
| VDD | DCの供給電圧の範囲 | +18.0への−0.5 | V |
| Vin、Vout | 入力または出力電圧範囲（DCかトランジェント） | −0.5へのVDD + 0.5 | V |
| Iin、Iout | Pinごとの入力または出力電流（DCかトランジェント） | ±10 | mA |
| PD | パッケージ（ノート1） 1個あたりの電力損失、 | 500 | MW |
| TA | 周囲温度の範囲 | +125への−55 | °C |
| Tstg | 保管温度の範囲 | +150への−65 | °C |
| TL | 鉛の温度（8−Secondはんだ付けすること） | 260 | °C |
最高の評価を超過する圧力は装置を損なうかもしれない。最高の評価は圧力の評価だけである。推薦された作動条件の上の機能操作は意味されない。推薦された作動条件の上の圧力への拡張された露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれない。
1. 軽減する温度:
プラスチック「PおよびD/DW」のパッケージ:– 65°Cからの125°Cへの7.0 mW/°C
この装置は高く静的な電圧か電界による損傷に対して守るために保護回路部品を含んでいる。但し最高がこのhigh−impedance回路に電圧を評価したより高いあらゆる電圧の適用を避けるために、注意は取られなければならない。適切な処理のために、VinおよびVoutは範囲VSS （VinかVout） VDDに強いられるべきである。
未使用の入力は適切な論理の電圧レベルに常に結ばれなければならない（例えば、VSSかVDD）。未使用の出力は開いた残っていなければならない。