ChongMingのグループ(HK)国際的なCo.、株式会社

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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高圧力MosfetのトランジスターBTA16-600BRG 16AトライアックBTA/BTB 16

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シティ:shenzhen
国/地域:china
連絡窓口:MsDoris Guo
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高圧力MosfetのトランジスターBTA16-600BRG 16AトライアックBTA/BTB 16

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型式番号 :BTA16-600BRG
原産地 :モロッコ
最低順序量 :100pcs
支払の言葉 :T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力 :6000pcs
受渡し時間 :1日
包装の細部 :細部については私に連絡しなさい
記述 :穴TO-220を通したトライアックの標準600 V 16 A
RMSのオン州の流れ :16 A
非反復的なサージのピーク オン州の流れ(完全な周期、Tj最初の= 25°C) :168 A
非反復的なサージのピークのオフ状態の電圧 :VDRM/VRRM + 100ボルト
コレクター流れ :150 mA
オン州の流れの上昇の重大な率 :50 A/µs
ピーク ゲートの流れ :4 A
平均ゲートの電力損失 :1つのW
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高圧力MosfetのトランジスターBTA16-600BRG 16AトライアックBTA/BTB 16

記述

によ穴または表面台紙のパッケージ、BTA/BTB16およびT16トライアック シリーズで利用できる一般目的AC切換えのために適している。それらは静的なリレーのような、暖房の規則、回路を始める誘導電動機として…または軽い調光器、モータ速度のコントローラーの位相制御操作のための適用でオン/オフ機能使用することができる…

snubberless版(BTA/BTB… WおよびT16シリーズ)は誘導負荷、高い代わりの性能のおかげでの使用のために特に推薦される。内部陶磁器のパッドの使用によって、BTAシリーズは電圧をULの標準(ファイル参考に従う絶縁されたタブ(2500V RMSで評価される)提供する:E81734)。

記号 価値 単位
IT (RMS) 16
VDRM/VRRM 600、700および800 V
IGT (Q1) 10から50 mA

発注情報

図1:最高の電力損失対RMSのオン州の流れ(完全な周期)。

図2-1:場合温度(完全な周期)対現在のRMSのオン州。

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