ChongMingのグループ(HK)国際的なCo.、株式会社

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
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IRF7240TRPBF力Mosfetのトランジスター高い発電mosfetのトランジスター

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シティ:shenzhen
国/地域:china
連絡窓口:MsDoris Guo
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IRF7240TRPBF力Mosfetのトランジスター高い発電mosfetのトランジスター

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型式番号 :IRF7240TRPBF
原産地 :元の工場
最低順序量 :20pcs
支払の言葉 :T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力 :8600pcs
受渡し時間 :1日
包装の細部 :細部については私に連絡しなさい
記述 :MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO
下水管の源の電圧 :-40 V
連続的な下水管の流れ :-10.5 A
脈打った下水管の流れ :-43 A
電力損失 :2.5 W
線形軽減の要因 :20 mW/°C
ゲートに源の電圧 :± 20 V
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標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。 ブランド D/C パッケージ
NDT456P 5000 フェアチャイルド 16+ SOP8
OB2268CCPA 5000 OB 16+ SOP8
P2003EVG 5000 ニコス 13+ SOP8
P6SMB27CA 5000 VISHAY 15+ SMB
P89LPC932A1FDH 5000 16+ TSSOP
PC400J00000F SOP-5 5000 シャープ 16+ SOP-5
PIC16C711-04/P 5000 マイクロチップ 14+ DIP-18
PIC16F716-I/P 5000 マイクロチップ 14+ DIP-18
PIC16F84A-04I/SO 5000 マイクロチップ 14+ SOP18
PIC16F886-I/SP 5000 マイクロチップ 16+ すくい
PIC18F4431-I/PT 5000 マイクロチップ 16+ TQFPQFP
RFD15P05SM 5000 INTERSIL 13+ TO-252
RT8010GQW 5000 RICHTEK 15+ WDFN
SFH6156-4 5000 VISHAY 16+ SOP4
SI4880DY-T1-E3 5000 VISHAT 16+ SOP-8
SLF6028T-100M1R3-PF 5000 TDK 14+ SMD
SM15T15A 5000 ST 14+ DO-214AB
SM6S24A 5000 VISHAY 14+ DO-218
SMAJ15A 5000 VISHAY 16+ SOD-214A
SMBJ6.0A 5000 VISHAY 16+ SMB
SMCJ54A-E3 5000 VISHAY 13+ DO-214A
SN74AHC123ADR 5000 チタニウム 15+ SOP-16
SN74HC132N 5000 チタニウム 16+ SOP
SN74HC148Nのチタニウム0401 5000 チタニウム 16+ SOP-16
ST232ABDR 5000 ST 14+ SMD
ST232CWR 5000 ST 14+ SOP16
STM8S103F2P6 5000 ST 14+ SSOP
STP75NF75 5000 ST 16+ TO-220
STTH1R06U 5000 ST 16+ SMB
STU309D 5000 SAMHOP 13+ SOT-252

IRF7240PbF

HEXFETか。力MOSFET

  • 超低いオン抵抗か。
  • P-Channel MOSFETか。
  • 表面の台紙か。
  • テープ及び巻き枠で利用できるか。
  • 無鉛

VDSS 最高RDS () ID
-40V 0.015@VGS = -10V -10.5A
0.025@VGS = -4.5V -8.4A

記述

国際的な整流器からのこれらのP-ChannelのMOSFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用する。この利点は電池および負荷管理塗布の使用に非常に有効な装置をデザイナーに与える。

SO-8は高められた熱特徴およびそれをいろいろな力の適用で理想的にさせる多数ダイスの機能のためのカスタマイズされたleadframeを通して変更された。これらの改善を使うと、多数装置は劇的に減らされた板スペースを使うと適用で使用することができる。パッケージは蒸気段階、赤外線、または波のはんだ付けする技術のために設計されている

か。絶対最高評価

変数 最高。 単位
VDS 下水管の源の電圧 -40 V
ID @ TA = 25°C 連続的な下水管の流れ、VGS @ -10V -10.5
ID @ TA = 70°C 連続的な下水管の流れ、VGS @ -10V -8.6
IDM 脈打った下水管の流れ -43
PD @TA = 25°C 電力損失 2.5 W
PD @TA = 70°C 電力損失 1.6 W
線形軽減の要因 20 mW/°C
VGS ゲートに源の電圧 ± 20 V
TJ、TSTG 接続点および保管温度の範囲 -55に+ 150 °C

SO-8パッケージの輪郭

次元はミリメートル(インチ)で示されている

SO-8部分の印

例:これはであるIRF7101 (MOSFET)

SO-8テープおよび巻き枠

次元はミリメートル(インチ)で示されている

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