STU404D	5000	SAMHOP	15+	TO252
TB6560AHQ	5000	東芝	16+	ジッパー
TC4001BP	5000	東芝	16+	DIP-14
TCA785	5000	INFINECN	14+	すくい
TCN75AVOA	5000	マイクロチップ	14+	SOIC-8
TCN75AVOA713	5000	マイクロチップ	14+	SOP8
TDA1524A	5000		16+	すくい
TL072CP	5000	チタニウム	16+	DIP8
TLP127	5000	東芝	13+	SOP
TLP620-4	5000	東芝	15+	すくい
TOP244YN	5000	力	16+	TO-220
TS274CDT	5000	ST	16+	SOP-14
TS924AIDT	5000	ST	14+	SOP-14
UC3844BD ST	5000	ST	14+	SOP8
UDA1341TS	5000		14+	SSOP28
VIPER22A	5000	ST	16+	DIP-8
VLF4012AT-4R7M1R1	5000	TDK	16+	SMD
PBSS5160T	5001		13+	SOT-23
PL2303	5001	多産	15+	SSOP
NDT451AN	5002	FSC	16+	SOT223
MAX1681ESA	5008	格言	16+	SOP8
HFJ11-2450E-L12	5009	HALOELECT	14+	RJ45
L6598	5010	ST	14+	SOP16
ZM4744A	5100	VISHAY	14+	LL41
HCNW136	5101	AVAGO	16+	DIP8
CQ1565RT	5111	フェアチャイルド	16+	TO-220
FZT758TA	5111	ZETEX	13+	SOT223
LM324DR	5111	チタニウム	15+	SOP-14
TFA9842	5112		16+	ジッパー
MAX483ESA	5117	格言	16+	SOP-8

IRFZ44NPbF

HEXFET®力MOSFET

高度の加工技術か。
超低いオン抵抗か。
動的dv/dtの評価か。
175°C実用温度か。
速い切換えか。
評価される十分になだれか。
無鉛

VDSS = 55V

RDS _（） = 17.5mΩ

ID = 49A

記述

国際的な整流器からの高度HEXFET®力のMOSFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用する。HEXFET力のMOSFETsが有名である高耐久化された装置設計および速い切り替え速度と結合されるこの利点はいろいろ適用の使用に非常に有効な、信頼できる装置を、デザイナーに与える。

TO-220パッケージはおよそ50ワットへの電力損失のレベルのすべての商業産業適用のために一般に好まれる。TO-220の低い熱抵抗そして低いパッケージの費用は企業中の広い受諾に貢献する。

絶対最高評価

	変数	最高。	単位
ID @ TC = 25°C	連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V	49
ID @ TC = 100°C	連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V	35
IDM	脈打った下水管の流れか。	160
PD @TC = 25°C	電力損失	94	W
	線形軽減の要因	0.36	With°C
VGS	ゲートに源の電圧	± 20	V
IAR	なだれの流れか。	25
耳	反復的ななだれエネルギーか。	9.4	mJ
dv/dt	ピークダイオードの回復dv/dt	5.0	V/ns
TJ TSTG	作動の接続点保管温度の範囲	-55に+ 175	°C
	10秒のはんだ付けする温度、	300 （場合からの1.6mm）	°C
	トルク、6-32またはM3 srewを取付ける	10のlbf•（1.1N•m）

TO-220ABのパッケージの輪郭

次元はミリメートル（インチ）で示されている

TO-220ABの部品の示す情報

商品のタグ：

irf520 mosfet

power mosfet ic

p55nfo power mosfet

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