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74HC4052;74HCT4052
二重4チャネルのアナログの多重交換装置、デマルチプレクサー
特徴
•−5 Vから+5 Vからの広いアナログ入力の電圧範囲
•低いオン抵抗:
– VCC −のVの80 Ω （典型的な） = 4.5ボルト
– VCC −のVの70 Ω （典型的な） = 6.0ボルト
– VCC −のVの60 Ω （典型的な） = 9.0ボルト
•論理のレベル翻訳:5ボルトの論理が±5 Vのアナログ信号と伝達し合うことを可能にするため
•典型的な「壊れ目はの前の」造られて作る
•JEDEC標準的なNO 7Aに従う
•ESDの保護:
– HBM EIA/JESD22-A114-Bは2000ボルトを超過する
– MM EIA/JESD22-A115-Aは200 V.を超過する。
•−40 °Cから+85 °Cおよび−40 °C +125 °C.にに指定される。
適用
•アナログに多重型になり、多重分離すること
•多重型になり、多重分離するデジタル
•信号のゲートで制御すること。
記述
74HC4052および74HCT4052は高速SiゲートCMOS装置で、HEF4052Bと互換性があるピンである。彼らはJEDEC標準的なNO 7Aに従って指定される。
74HC4052および74HCT4052は共通の選り抜き論理の二重4チャネル アナログの多重交換装置またはデマルチプレクサーである。各多重交換装置は4独立した入力/出力（ピンnY0へのnY3）および共通入出力（ピンnZ）を備えている。共通チャネルの選り抜きロジックスは2つのデジタル選り抜き入力（ピンS0およびS1）および入力（E）ピンを可能にするために活動的な低速を含んでいる。ピンがピンS0およびS1によってE =低速、4つのスイッチの1 （low-impedanceオン州）選ばれる時。ピンがhigh-impedanceオフ状態にE =最高、すべてのスイッチある時、ピンS0およびS1の独立者。
VCCおよびGNDはデジタル制御の入力（S0、S1およびE）ピンのための供給電圧ピンである。GNDの範囲へのVCCは2.0ボルトから74HC4052のための10.0ボルトおよび4.5ボルトから74HCT4052のための5.5ボルトである。アナログ入力/出力（nY3およびnZへのピンnY0）は否定的な限界として肯定的な限界およびVとしての間でVCC振れることができる。VCC −のVは10.0のV.を超過しないかもしれない。
デジタル多重交換装置/デマルチプレクサーとして操作のために、VはGNDに接続される（普通ひかれる）。
限界値
絶対最高評価システム（IEC 60134）に従って;電圧はV = GND （地面= 0 V）に参照される;ノート1。
| 記号 | 変数 | 条件 | MIN. | MAX. | 単位 |
| VCC | 供給電圧 | −0.5 | +11.0 | V | |
| IIK | 入力ダイオード流れ | VI<>私> VCCの+ 0.5ボルト | − | ±20 | mA |
| ISK | スイッチ ダイオード流れ | 対<> S > VCCの+ 0.5ボルト | − | ±20 | mA |
| ある | スイッチ流れ | −0.5 V < V="">S < V="">CC + 0.5ボルト | − | ±25 | mA |
| IEE | VEE流れ | − | ±20 | mA | |
| ICC;IGND | 現在のVCCまたはGND | − | ±50 | mA | |
| Tstg | 保管温度 | −65 | +150 | °C | |
| Ptot | 電力損失 | Tamb = −40 °Cへの+125 °C;ノート | − | 500 | MW |
| PS | スイッチごとの電力損失 | − | 100 | MW |
ノート
1. ピンnYnのスイッチ現在の流れが、二方向スイッチを渡る電圧低下0.4 V.を超過してはならない時ピンnZからVCC流れを引くことを避けるため。ピンnZ、VCCピンnYnからの現在の意志の流れへのスイッチ現在の流れ。この場合スイッチを渡る電圧低下のための限界がない、しかしピンnYnおよびnZの電圧はVCCまたはVを超過しないかもしれない。
2. DIP16パッケージのため:70 °Cの上で12 mW/K.と直線に軽減しなさい。
SO16パッケージのため:70 °Cの上で8 mW/K.と直線に軽減しなさい。
SSOP16およびTSSOP16パッケージのため:60 °Cの上で5.5 mW/K.と直線に軽減しなさい。
DHVQFN16パッケージのため:60 °Cの上で4.5 mW/K.と直線に軽減しなさい。
機能図