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標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
| SN74LVC138ADRG4 | 102000 | チタニウム | 15+ | SOP-16 |
| SN74LVC139ADR | 75000 | チタニウム | 13+ | SOP-16 |
| SN74LVC16245ADLR | 5117 | チタニウム | 15+ | SSOP-48 |
| SN74LVC1G06DCKR | 105000 | チタニウム | 14+ | SC70-5 |
| SN74LVC1G08DCKR | 21000 | チタニウム | 16+ | SC70-5 |
| SN74LVC1G3157DBVR | 40000 | チタニウム | 16+ | SOT23-6 |
| SN74LVC1G332DBVR | 36000 | チタニウム | 15+ | SOT23-6 |
| SN74LVC2G04DBVR | 41000 | チタニウム | 16+ | SOT23-6 |
| SN74LVC2G14DBVR | 6000 | チタニウム | 15+ | SOT23-6 |
| SN74LVC2G241DCUR | 23415 | チタニウム | 14+ | VSSOP-8 |
| SN74LVC2G66DCUR | 104000 | チタニウム | 16+ | VSSOP-8 |
| SN74LVC2T45DCTR | 18303 | チタニウム | 13+ | SSOP-8 |
| SN74LVC32ADR | 97000 | チタニウム | 15+ | SOP-14 |
| SN74LVC4245ADWR | 7399 | チタニウム | 16+ | SOP-24 |
| SN74LVCH16245ADGGR | 16386 | チタニウム | 16+ | TSSOP-48 |
| SN74LVT244BPWR | 67000 | チタニウム | 16+ | TSSOP-20 |
| SN74LVTH245ADWR | 6888 | チタニウム | 12+ | SOP-20 |
| SN74LVTH273DWRG4 | 12568 | チタニウム | 04+ | SOP7.2MM |
| SN75451BDR | 16457 | チタニウム | 06+ | SOP-8 |
| SN75491N | 5460 | チタニウム | 13+ | DIP-14 |
| SN75C1406DR | 5775 | チタニウム | 11+ | SOP-16 |
| SN75HVD10DR | 5746 | チタニウム | 06+ | SOP-8 |
| SN75LBC184DR | 10414 | チタニウム | 16+ | SOP-8 |
| SP0503BAHTG | 65000 | LITTELFUS | 15+ | SOT-143 |
| SP0504BAHTG | 10000 | LITTELFUS | 16+ | SOT23-5 |
| SP2574NUTG | 7370 | LITTELFUS | 14+ | QFN |
| SP3077EEN | 6872 | SIPEX | 13+ | SOP-8 |
| SP3203ECY-L/TR | 8452 | SIPEX | 07+ | TSSOP-20 |
| SP3232ECT | 5717 | SIPEX | 16+ | SOP-16 |
| SP3232EEN | 88000 | EXAR | 16+ | SOP-16 |
74HC14;74HCT14
Schmittの六角形の逆になる制動機
特徴
•適用:
–波および脈拍形削り盤
–非安定マルチバイブレーター
–単安定マルチバイブレーター。
•JEDEC標準的なNO 7Aに従う
•ESDの保護:HBM EIA/JESD22-A114-Aは2000ボルトMM EIA/JESD22-A115-Aを超過する200 V.を超過する。
•−40から+85 °Cおよび−40 +125 °C.にに指定される。
記述
74HC14および74HCT14は高速SiゲートCMOS装置で、低い電力ショットキーTTL （LSTTL）と互換性があるピンである。彼らはJEDEC標準的なNO 7Aに従って指定される。
74HC14および74HCT14はSchmitt制動機の行為を6つの逆になる緩衝に与える。それらははっきりと定義された、到着遅延が発生しない出力信号にゆっくり変更の入力信号を変形させることができる。
限界値
絶対最高システム（IEC 60134）に従って;電圧はGND （地面= 0 V）に参照される。
| 記号 | 変数 | 条件 | MIN. | MAX. | 単位 |
| VCC | 供給電圧 | −0.5 | +7 | V | |
| IIK | 入力ダイオード流れ | VI<> 私> VCCの+ 0.5ボルト | − | ±20 | mA |
| IOK | 出力ダイオード流れ | VO<> O > VCCの+ 0.5ボルト | − | ±20 | mA |
| IO | 出力源か流しの流れ | −0.5 V < V="">O < V="">CC + 0.5ボルト | − | ±25 | mA |
| ICC;IGND | 現在のVCCまたはGND | − | 50 | mA | |
| Tstg | 保管温度 | −65 | +150 | °C | |
| Ptot | 電力損失 |
Tamb = +125 °Cへの−40 DIP14パッケージ;ノート1 他のパッケージ;ノート2 |
− − |
750 500 |
MW MW |
ノート
1. DIP14パッケージのため:70 °Cの上でPDの価値は12 mW/K.と直線に軽減する。
2. SO14パッケージのため:70 °Cの上でPDの価値は8 mW/K.と直線に軽減する。
（T） SSOP14パッケージのため:60 °Cの上でPDの価値は5.5 mW/K.と直線に軽減する。
DHVQFN14パッケージのため:60 °Cの上でPDの価値は4.5 mW/K.と直線に軽減する。