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東芝のPhotocoupler GaAs Ired及びPhoto−Transistor
TLP504A、TLP504A−2
プログラマブル コントローラAC/DC−Inputモジュールの半導体継電器
東芝TLP504AおよびTLP504A−2は光学的にガリウム砒素の赤外線出るダイオードにつながれるphoto−transistorから成っている。
TLP504AはTLP504A−2は16プラスチックすくいのパッケージの4つの隔離されたチャネルを提供するが、8つの鉛のプラスチックすくいのパッケージの2つの隔離されたチャネルを提供する。
•Collector−emitterの電圧:55ボルト(min.)
•現在の移動比率:50% (min.)のランクGB:100% (min.)
•分離の電圧:2500 Vrms (min.)
•ULは確認した:UL1577、
ファイルNO E67349
Pin構成(平面図)
絶対最高評価(Ta = 25°C)
特徴 | 記号 | 評価 | 単位 | ||
TLP504A | TLP504A−2 | ||||
LED | 前方流れ | 60 | 50 | mA | |
前方現在の軽減 | ΔIF/°C | −0.7 (Taの≥ 39°C) | −0.5 (Taの≥ 25°C) | mA/°C | |
現在先に脈打ちなさい | IFP | 1 (100μs脈拍、100pps) | |||
逆電圧 | VR | 5 | V | ||
接合部温度 | Tj | 125 | °C | ||
探知器 | Collector−emitterの電圧 | VCEO | 55 | V | |
Emitter−collectorの電圧 | VECO | 7 | V | ||
コレクター流れ | IC | 50 | mA | ||
コレクターの電力損失(1つの回路) | PC | 150 | 100 | MW | |
コレクターの電力損失の軽減 (1つの回路Taの≥ 25°C) |
ΔPC/°C | -1.5 | -1.0 | MW/°C | |
接合部温度 | Tj | 125 | °C | ||
保管温度の範囲 | Tstg | −55~150 | °C | ||
実用温度範囲 | Topr | −55~100 | °C | ||
鉛のはんだ付けする温度 | Tsol | 260 (10 s) | °C | ||
総パッケージの電力損失 | RT | 250 | 150 | MW | |
総パッケージの電力損失の軽減 (Taの≥ 25°C) |
ΔPT/°C | -2.5 | -1.5 | MW/°C | |
分離の電圧 | BVS |
2500 (AC、1min。、R.H.≤ 60%) (ノート1) |
Vrms |
注:絶えずを使用して重負荷(例えば温度、等の高温の適用作動条件(すなわち実用温度/現在/電圧、等)が絶対最高評価の内にあっても/現在/電圧および重要な変更)の下でこのプロダクトを信頼性でかなり減るためにもたらすかもしれない。
東芝の半導体の信頼性の手引(「概念および方法」軽減する注意」の/「扱う)および個々の信頼性データ(すなわち信頼度試験のレポートおよび推定故障率、等)見直した上で適切な信頼性を設計し。
ノート1:装置は2末端装置を考慮した:LEDの側面ピンは一緒にショートした探知器の側面ピン一緒にショートし。