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記述
74HC595Dはケイ素 ゲートC2MOSの技術と高速8ビット転位REGISTER/LATCH製造したである。それはCMOSの低い電力の消滅を維持している間同等のLSTTLと同じような高速操作を達成する。
74HC595Dは8ビット記憶レジスタに与える8ビット静的なシフト レジスタを含んでいる。
転位操作はSCKの入力の肯定的な行く転移で達成される。出力記録はRCKの入力の肯定的な行く転移でシフト レジスタの内容と荷を積まれる。RCKおよびSCK以来信号は独立した、平行出力転位操作の間に安定した握ることができるである。
そして、平行出力が3州であるので、それは8ビット バスに直接接続することができる。この記録は連続に平行転換、データ受信機、等で使用することができる。
すべての入力は静電気放電または一時的で余分な電圧に対する保護回路が装備されている。
(1)高速:fMAX = VCCの= 5ボルトの55のMHz (タイプ。)
(2)低い電力の消滅:ICC = 4.0 μA (最高)のTa = 25
(3)釣り合った伝搬遅延:tPLHの≈のtPHL
(4)広い作動の電圧範囲:VCC (opr) = 2.0ボルトから6.0ボルト
絶対最高評価
特徴 |
記号 |
評価 |
単位 |
供給電圧 |
VCC |
-0.5から7.0 |
V |
入れられた電圧 |
VIN |
-0.5からVCC + 0.5 |
V |
出力電圧 |
VOUT |
-0.5からVCC + 0.5 |
V |
入れられたダイオード流れ |
IIK |
±20 |
mA |
出力ダイオード流れ |
IOK |
±20 |
mA |
出力電流(QH) |
IOUT |
±25 |
mA |
出力電流(QAへのQH) |
±35 |
||
現在のVCC/ground |
ICC |
±75 |
mA |
電力損失 |
PD |
500 |
MW |
保管温度 |
Tstg |
-65から150 |
- |
動作範囲
特徴 |
記号 |
テスト条件 |
評価 |
単位 |
供給電圧 |
VCC |
- |
2.0から6.0 |
V |
入れられた電圧 |
VIN |
- |
0からVCC |
V |
出力電圧 |
VOUT |
- |
0からVCC |
V |
実用温度 |
Topr |
- |
-40から125 |
- |
入れられた上昇および落下時間 |
tr、tf |
- |
0から50 |
μs |