IS42S16400J-7TLIのドラムのメモリー チップSOP-54 64 Mbit 143 MHz ISSIのブランド
概説
ISSIの64Mbの同期ドラムは改善された性能のための1,048,576ビットx 16ビットx 4銀行として組織される。同期ドラムはパイプラインの建築を使用して高速データ転送を達成する。すべての入出力信号はクロックの入力の上昇端を示す。
特徴
•クロック周波数:200、166、143、133のMHz
•十分に同期;すべての信号は肯定的なクロック エッジに参照した
•隠れる列のアクセス/前充満のための内部銀行
•単一3.3V電源
•LVTTLインターフェイス
•プログラム可能な破烈させた長さ
– （1、2、4、8の全ページ）
•プログラム可能な破烈させた順序:順次/インターリーブ
•自己によってはモードが新たになる
•自動車は新たになる（CBR）
•4096によっては新たになる周期があらゆる64の氏（Com、Ind、A1等級）または16ms （A2等級）
•任意カラム・アドレスあらゆる時計サイクル
•プログラム可能なCASの潜伏（2、3個の時計）
•読まれる/単一破烈させた読み書きおよび破烈は作業能力を書く
•破烈させた停止および前充満命令による破烈の終了
概観
64Mb SDRAMは高速CMOSの67,108,864ビットを含んでいる3.3V記憶装置で作動するように設計されているダイナミックRAMである。内部的には同期インターフェイスとクォード銀行ドラムとして形成されて。各16,777,216ビット銀行は16ビットにつき256のコラムによって4,096列として組織される。64MbによってSDRAMは自動車を新たになるモードおよびパワー セービング、パワー モードが含んでいる。すべての信号は刻時信号、CLKの肯定的な端で登録されている。すべての入出力は互換性があるLVTTLである。64Mb SDRAMに同期的に自動コラム住所生成との高いデータ転送速度、内部銀行の間で入れ込む機能でデータを破烈させる機能が前充満の時間および機能を隠すために任意に破烈させたアクセスの間に各時計サイクルのカラム・アドレスを変えるある。破烈させたsequenceisavailablewiththeAUTOPRECHARGEfunctionの終わりに始められた自己時限列の前充満は可能になった。他の3つの銀行の1にアクセスすることが前充満周期を隠し、継ぎ目が無く、高速の、ランダム・アクセス操作を提供する間、1つの銀行を前もって満たしなさい。SDRAMは指定位置にライト・アクセスをである破烈によって方向づけられた始まり、プログラムされた順序の位置のプログラムされた数のための継続読み。活動的な命令の登録は読書に先行しているアクセスを始めるかまたは命令を書く。登録されている住所ビットと共の活動的な命令がアクセスされるべき銀行および列を選ぶのに使用されている（BA0、BA1は銀行を選ぶ;A0-A11は列を選ぶ）。読書がまたは命令を登録されている住所ビットと共に書くために破烈させたアクセスに開始のコラムの位置を選ぶのに使用されている。プログラム可能な読書または破烈させた長さを破烈の1つ、2つ、4つそして8つの位置、か全ページから、成るために書くため選択を終えるため。
IS42S16400J-7TLI
IS42S16400F-7TLI
IS42S16100E-7TLI
IS42S16800F-7TLI
IS42S16160J-6BLI
IS42S16320B-7TL
IS42S32200L-7BLI
IS42S32400D-6BL
IS42S32800D-7TLI
