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FM25CL64B は、高度な強誘電体プロセスを採用した 64 キロビットの不揮発性メモリです。強誘電体ランダム アクセス メモリ (F-RAM) は不揮発性で、RAM と同様に読み取りと書き込みを実行します。EEPROM やその他の不揮発性メモリによって引き起こされる複雑さ、オーバーヘッド、システム レベルの信頼性の問題を排除しながら、38 年間の信頼性の高いデータ保持を実現します。
FM25CL64B はバス速度で書き込み操作を実行します。書き込み遅延は発生しません。データは、各バイトがデバイスに正常に転送された直後にメモリ アレイに書き込まれます。次のバス サイクルは、データ ポーリングを必要とせずにすぐに開始できます。さらに、他の不揮発性メモリに比べて書き込み耐性が優れています。FM25CL64B は、1014 回の読み取り/書き込みサイクル、つまり EEPROM の 1 億倍の書き込みサイクルをサポートできます。
これらの機能により、FM25CL64B は頻繁または迅速な書き込みが必要な不揮発性メモリ アプリケーションに最適です。例としては、書き込みサイクル数が重要となるデータ収集から、EEPROM の長い書き込み時間がデータ損失を引き起こす可能性がある要求の厳しい産業用制御まで多岐にわたります。
FM25CL64B は、ハードウェアのドロップイン代替品としてシリアル EEPROM のユーザーに大きなメリットを提供します。FM25CL64B は高速 SPI バスを使用し、F-RAM テクノロジーの高速書き込み機能を強化します。デバイスの仕様は、-40°C ～ +85°C の工業用温度範囲で保証されています。
標準機能
64K ビット強誘電体不揮発性 RAM
8,192 x 8 ビットとして構成
高耐久性 100 兆 (1014) 読み取り/書き込み
38 年間のデータ保持 (@ +75 °C)
NoDelay™ 書き込み
高度な高信頼性強誘電体プロセス
非常に高速なシリアル ペリフェラル インターフェイス - SPI
最大 20 MHz の周波数
EEPROM のハードウェアの直接交換
SPI モード 0 および 3 (CPOL、CPHA=0,0 および 1,1)
洗練された書き込み保護スキーム
ハードウェア保護
ソフトウェア保護
低消費電力
低電圧動作 2.7 ～ 3.65V
200 A アクティブ電流 (1 MHz)
3 A (代表値) スタンバイ電流
業界標準構成
工業用温度 -40 ℃ ～ +85 ℃
8 ピン「グリーン」/RoHS SOIC および TDFN パッケージ
FM25CL64B-G
FM25CL64B-GTR
FM25CL64B-DG
FM25CL64B-DGTR
CM GROUPエレクトロニクス、2012年に設立され、お客様と元の工場の間の信頼できる架け橋になります。CM GROUP は、IC 業界とブランド販売における長年の経験に基づいて、電気および電子メーカーに最高の信頼できる製品とサービスを提供します。
強力なソースを持つ主なブランド:
海外：ST、ATMEL、Microchip、Xilinx、、AD、Power
国内: Holtek、XLSEMI
主な製品:MCUチップ、フラッシュメモリチップ、プログラマブルICチップ、アンプIC、パワーマネジメントIC、LEDドライバIC、MOSFETパワートランジスタ、電力整流ダイオードなど…
主な用途:産業および商業アプリケーション、電源管理と制御、LEDおよびLCDドライバー、回路基板制御、スマートホーム、宇宙産業、軍事産業など…
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