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CSD13202Q2 Mosfet力トランジスター時計MOSFET N-CH力MOSFET 12V 9.3mohm
1特徴
低い熱抵抗
評価されるなだれ
無鉛末端のめっき
迎合的なRoHS
自由なハロゲン
息子2 mmの× 2 mmのプラスチック パッケージ
2つの適用
負荷スイッチ塗布のために最大限に活用される
貯蔵、タブレットおよび手持ち型装置
制御FETの塗布のために最大限に活用される
負荷同期木びき台のコンバーターのポイント
3記述
この12-V、7.5-mΩ NexFETTM力MOSFETは力の転換および負荷管理適用の損失を最小にするように設計されていた。パッケージのサイズのための息子2の× 2の提供の優秀な熱性能。
プロダクト概要
|
TA = 25°C |
典型的なVAUE |
単位 |
||
|
VDS |
下水管に源の電圧 |
12 |
V |
|
|
Qg |
ゲート充満合計（V） 4.5 |
5.1 |
NC |
|
|
Qgd |
ゲート充満ゲートに下水管 |
0.76 |
NC |
|
|
RDS （） |
下水管に源のオン抵抗 |
VGS = 2.5ボルト |
9.1 |
mΩ |
|
VGS = 4.5ボルト |
7.5 |
|||
|
VGS （Th） |
境界の電圧 |
0.8 |
V |
|
装置情報
|
装置 |
媒体 |
QTY |
パッケージ |
船 |
|
CSD13202Q2 |
7インチの巻き枠 |
3000 |
息子2.00 mmの× 2.00 mmのプラスチック パッケージ |
テープおよび巻き枠 |
絶対最高評価
|
TA = 25°C |
価値 |
単位 |
|
|
VDS |
下水管に源の電圧 |
12 |
V |
|
VGS |
ゲートに源の電圧 |
±8 |
V |
|
ID |
連続的な下水管の流れ（パッケージの限界） |
22 |
|
|
連続的な下水管の流れ（1） |
14.4 |
||
|
IDM |
脈打った下水管の流れ、TA = 25°C （2） |
76 |
|
|
PD |
電力損失（1） |
2.7 |
W |
|
TJ、TSTG |
作動の接続点、保管温度 |
– 55から150 |
°C |
|
EAS |
なだれエネルギー、単一の脈拍ID =20A、L=0.1mH、RG =25Ω |
20 |
mJ |