ChongMingのグループ(HK)国際的なCo.、株式会社

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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FDC3535最高速度Mosfetのトランジスター回路、Mosfetの運動制御回路

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シティ:shenzhen
国/地域:china
連絡窓口:MsDoris Guo
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FDC3535最高速度Mosfetのトランジスター回路、Mosfetの運動制御回路

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型式番号 :FDC3535
最低順序量 :私達に連絡しなさい
支払の言葉 :Paypal、ウェスタンユニオン、TT
供給の能力 :1日あたりの50000部分
受渡し時間 :商品は一度3日以内に受け取った資金を出荷される
包装の細部 :SOT23-6
記述 :MOSFET P-CH 80V 2.1A SUPERSOT6
単位重量 :0.001270 oz
製品タイプ :MOSFET
最低の実用温度 :- 55 C
最高使用可能温度 :+ 150 C
構成 :単一
Pd -電力損失 :1.6W
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FDC3535 Mosfet力トランジスターMOSFET MOSFET;-80V P Chan PowerTrench

特徴

  • MaxrDS () =183mΩatVGS =-10V、ID =-2.1A
  • MaxrDS () =233mΩatVGS =-4.5V、ID =-1.9A
  • 極端に低いrDSのための高性能の堀の技術()
  • 広く利用された表面の台紙のパッケージの高い発電そして現在の処理の機能
  • 速い切り替え速度
  • テストされる100% UIL
  • 迎合的なRoHS

概説

このP-Channel MOSFETはフェアチャイルドの半導体のrDS ()、転換の性能および険しさのために最大限に活用された高度力の堀の®プロセスを使用して作り出される。

適用

  • 負荷スイッチ
  • 同期整流器

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