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TLC277IDRの可聴周波電力増幅器ICの精密アンプは単一の供給精密二倍になる
記述（続く）
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TA |
25°CのVIOmax |
包まれた装置 |
破片の形態（Y） |
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小さい輪郭（D） |
チップ・キャリア（FK） |
陶磁器のすくい（JG） |
プラスチックすくい（P） |
TSSOP （PW） |
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0°Cへの70°c |
500 μV 2 mV 5 mV 10mV |
TLC277CD TLC272BCD TLC272ACD TLC272CD |
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TLC277CP TLC272BCP TLC272ACP TLC272CP |
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– 40°Cへの85°C |
500 μV 2 mV 5 mV 10 mV |
TLC277ID TLC272BID TLC272AID TLC272ID |
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TLC277IP TLC272BIP TLC272AIP TLC272IP |
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Dのパッケージは利用できる録音されておよび巻き取られて。装置タイプ（例えば、TLC277CDR）にRの接尾辞を加えなさい。
一般に、両極技術と関連付けられる多くの特徴は両極技術の力の罰なしでLinCMOSのの演算増幅器で利用できる。トランスデューサーのインターフェイス、アナログの計算、アンプのブロック、活動的なフィルターおよび信号の緩衝のような一般的な適用はTLC272およびTLC277と容易に設計されている。装置はまた理想的に遠隔および得難い電池式の適用に適するそれらを作る低電圧の単一供給操作を表わす。共通モード入力電圧範囲は否定的な柵を含んでいる。
包装の選択の広い範囲は高密度システム応用のために小型輪郭およびチップ・キャリア版を含んで利用できる。
装置入出力は支えるlatch-upなしで– 100 mAサージ電流に抗するように設計されている。
TLC272およびTLC277は同様にMIL-STD-883Cの下でテストされる2000ボルトまで電圧で機能失敗を防ぐ内部ESD保護回路方法3015.2を組み込む;但し、心配はESDへの露出としてこれらの装置の処理で装置パラメーター付き性能の低下で起因するかもしれない運動するべきである。
C接尾辞装置は0°Cからの70°C.への操作のために特徴付けられる。私接尾辞装置は– 40°Cからの85°C.に操作のために特徴付けられる。M接尾辞装置は– 55°Cに125°C.の完全な軍の温度較差上の操作のために特徴付けられる。