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専門にするTPS53659RSBR力道管理IC力管理- PMIC FETのコントローラー
1特徴
デジタル入力力モニターを含んで置かれる完全なVR13サーバー特徴
プログラム可能なループ補償
のための不揮発性メモリ（NVM）と構成可能
低く外的な構成計算
個々の段階の現在の口径測定およびレポート
プログラム可能と取除く動的段階
ライトの最大限に活用する効率のための現在の境界
そして重負荷
Undershootの減少のために速い段階加えること
（USR）
互換性がある後方VR12.0およびVR12.5
選択可能な5 mVか10 mVの8ビットDAC
0.25ボルトからの決断および出力範囲への
1.52 Vか0.5ボルトからデュアル チャネルのための2.8125ボルト
有効な高のための無人構成
頻度切換え
2つの適用
•サーバーおよび電気通信の適用のVR13記憶力
•高密度解決のためのチタニウムのNextFETTM力の段階と完全に対応する
•正確で、調節可能な電圧位置
•クローズド・ループ頻度の頻度選択
制御:300のkHzから1つのMHz
•特許を取られたAutoBalanceTM段階のバランスをとること
•選択可能な、16レベルの每段階の現在の限界•遠隔測定工学のためのPMBusTMのシステム・インタフェースの
電圧、力現在、温度および欠陥
条件
•動的出力電圧転移との
PMBusによるプログラム可能なスルー・レート
インターフェイス
•転換の電圧範囲:4.5 Vから17ボルト
•低い静止流れ
•mm 40-Pin × 5つのmmの5つのWQFN PowerPadTM
パッケージ
•ASICは二重力の柵を必要とする
•高性能プロセッサ力
3記述
TPS53659はデュアル チャネル、作り付けの不揮発性メモリ（NVM）、およびPMBusTMインターフェイスが付いている十分にVR13 SVIDの迎合的な軽減するコントローラーで、チタニウムのNexFETTM力の段階と完全に対応する。undershootの減少（USR）を用いるD-CAP+TMの建築のような先回り制御の特徴は速い過渡応答、低い出力キャパシタンス、およびよい現在の共有を提供する。装置はまた効率の改善に異なった負荷で取除く新しい段階インターリービング作戦および動的段階を提供する。円形を置くVCOREのスルー・レートおよび電圧の調節可能な制御Intel®の特徴。さらに、装置はシステムに電圧、流れ、力、温度および障害状況の遠隔測定工学を報告するためのPMBusの通信用インタフェースを支える。すべてのプログラム可能な変数はPMBusインターフェイスによって形成し、NVMで新しい省略時の値として外的な構成計算を最小にするために貯えることができる。
熱的に高められた40-pin WQFNで提供されたらTPS53659装置は評価される包み、– 40°Cから125°C.に作動するために。
装置情報
| 部品番号 | パッケージ | サイズ |
| TPS53659 | WQFN （40） | × 5つのmmの5つのmm |