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LP2998MRX/NOPB力道管理IC PMIC DDR-I及びDDR-IIの終了Reg
1特徴
–装置HBM ESD分類のレベルH1C
–接合部温度の範囲– 40°Cへの125°C
1.35 V最低VDDQ
源および流しの流れ
低い出力電圧オフセット
外的な抵抗器は要求しなかった
線形地勢学
Ram （STR）の機能性に中断しなさい
低く外的な構成計算
熱操業停止
2つの適用
DDR1、DDR2、DDR3およびDDR3Lの終了の電圧
自動車インフォテイメント
FPGA
産業/医学のPC
SSTL-18、SSTL-2およびSSTL-3終了
HSTLの終了
3記述
LP2998線形調整装置はDDR-SDRAMおよびDDR2記憶の終了のためのJEDEC SSTL-2およびJEDEC SSTL-18の指定に合うように設計されている。装置はまた1.35のV.のVDDQ分のDDR3およびDDR3L VTTバス終了支える。装置はトランジェントに荷を積むために優秀な応答を提供するように高速演算増幅器を含んでいる。出力段階は1.5をDDR-SDRAMの終了のための適用の連続的な現在および一時的なピーク3までA要求に応じて渡す間によってシュートを防ぐ。LP2998はまたチップセットおよびDIMMsに参照として優秀な負荷規則およびVREFの出力を提供するためにVSENSEピンを組み込む。
LP2998で見つけられる付加的な特徴はRAM （STR）の機能性に中断する提供する活動的で低い操業停止（SD）ピンである。SDが引っ張られた低いときVTTの出力は三国から成ったが高いインピーダンス出力を提供する、VREFは活動的に残る。力の節約の利点はより低い静止流れを通したこのモードで得ることができる。
装置情報
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部品番号 |
パッケージ |
サイズ（NOM） |
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LP2998 |
そうPowerPADTM （8） |
4.89 mm X 3.90 mm |
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LP2998 |
SOIC （8） |
4.90 mm X 3.91 mm |
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LP2998-Q1 |
そうPowerPADTM （8） |
4.89 mm X 3.90 mm |