Wuhan Liocrebif Technology Co., Ltd

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Manufacturer from China
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コンパクトPINフィールド効果トランジスタ 高感度 光ファイバージロスコップ

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Wuhan Liocrebif Technology Co., Ltd
シティ:wuhan
省/州:hubei
国/地域:china
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コンパクトPINフィールド効果トランジスタ 高感度 光ファイバージロスコップ

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モデル番号 :LKF-PINFET
原産地 :中国
最小注文数量 :1
支払い条件 :T/T
供給能力 :10000
納期 :2〜4週間
パッケージングの詳細 :木製の箱/段ボール箱/容器
色と分類 :LKF-PINFET
ブランド :liocrebif
モジュールタイプ :ジャイロスコープ
起源の場所 :中国
応用 :光ファイバージャイロスコープ
出力形式 :RS422
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基本情報
最小注文数量(MOQ):1
仕様番号:LKF-PINFET
製品紹介
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光受信システムの光情報受信機として、PINFET(P-Intrinsic-N Field-Effect Transistor)は、電圧増幅光電変換器として機能します。

線形応答、最小線形光パワー、線形飽和光パワー、3dB帯域幅S21などの仕様パラメータは、アナログ光ファイバーシステム(例えば、IFOG & FOCTなどの光ファイバーセンサー)の用途向けに特別に定義されています。

PINFETは、サニャック干渉計から返された光信号を電気信号に変換し、弱い信号を増幅します。光ファイバー通信システムでは、PINFETは通常デジタルデバイスとして使用されますが、光ファイバージャイロスコープではアナログデバイスとして使用されます。

光ファイバージャイロスコープがPINFETコンポーネントに求める主な要件は次のとおりです:

1. 光信号が電気信号に変換された後の信号対雑音比の低下を抑えるために、高い応答性と感度、小さい熱雑音と暗電流雑音。

2. より高い信号対雑音比でより大きな光パワー入力に対応するための、より広いダイナミックレンジ。

3. 周波数帯域幅がジャイロスコープの要件を満たしていること。

技術仕様

LKF PINFET

波長帯

1290~1560nm

線形応答性

0.72 V/μW

0.36 V/μW

0.18 V/μW

線形最大光パワー

≥4μW

≥8μW

≥16μW

線形最小光パワー

≤0.03μW

≤0.05μW

≤0.1μW

線形性

±3%

トランスインピーダンス

800KΩ

400KΩ

200KΩ

3dB帯域幅

4~10MHz

二乗平均平方根(RMS)電圧

≤0.5mV

パッケージ

パッケージタイプを参照

テールファイバー

SM/PM、φ125μm/80μmL=1m

動作温度

-45~+70℃

保管温度

-55~+85℃

製品コード表

製品コード

パッケージタイプ

トランスインピーダンス

出力ピグテール

TSXF01

8ピン

200K

125/250 SMファイバー

TSXH02

8ピン

400k

125/250 SMファイバー

TFGF02

ミニ8ピン

200K

80/165 SMファイバー

TFGH01

ミニ8ピン

400k

80/165 SMファイバー

TGGF02

ミニ6ピン

200K

80/165 SMファイバー

TDXJ02

14ピン

800k

125/250 SMファイバー

主な特徴

低ノイズ、高線形性

異なる応答性に合わせて帯域幅を調整可能

14ピン/8ピンパッケージの互換性あり、交換可能

優れた一貫性と信頼性

アプリケーション

光ファイバージャイロスコープ(FOG)

光ファイバー電流トランス(FOCT)

その他の光ファイバーセンシング

図1 PINFETの寸法

S タイプ

コンパクトPINフィールド効果トランジスタ 高感度 光ファイバージロスコップ

D タイプ

コンパクトPINフィールド効果トランジスタ 高感度 光ファイバージロスコップ

F タイプ

コンパクトPINフィールド効果トランジスタ 高感度 光ファイバージロスコップ

G タイプ

コンパクトPINフィールド効果トランジスタ 高感度 光ファイバージロスコップ

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