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6 年
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プロダクト細部
| 包装 | 管 | |
|---|---|---|
| 部分の状態 | ない新しい設計のために | |
| FETのタイプ | N-Channel | |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） | |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 600V | |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 23.8A （Tc） | |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 10V | |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 160mOhm @ 11.3A、10V | |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 3.5V @ 750µA | |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 75nC @ 10V | |
| Vgs （最高） | ±20V | |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 1660pF @ 100V | |
| FETの特徴 | - | |
| 電力損失（最高） | 34W （Tc） | |
| 実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） | |
| タイプの取付け | 穴を通して | |
| 製造者装置パッケージ | PG-TO220-FP | |
| パッケージ/場合 | TO-220-3完全なパック |
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