シンセンQuanyuantongの電子工学Co.、株式会社。

Shenzhen Quanyuantong Electronics Co., Ltd.

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2N7002トランジスター2N7002 MOSFETのトランジスターN-Channel 60V 115MA SOT-23 200mWの表面の台紙

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2N7002トランジスター2N7002 MOSFETのトランジスターN-Channel 60V 115MA SOT-23 200mWの表面の台紙

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原産地 :米国
型式番号 :2N7002
パッケージのタイプ :表面の台紙
ブランド :MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
実用温度 :-55°C | 150°C (TJ)
土台のタイプ :表面の台紙
パッケージ/場合 :TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
FETのタイプ :Nチャネル
流出させて下さいに源の電圧(Vdss) :60V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C :115mA (Ta)
(最高) @ ID、VgsのRds :7.5Ohm @ 500mA、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID :2.5V @ 250µ
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds :50pF @ 25V
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) :5V、10V
Vgs (最高) :±20V
タイプ :Field-Effectのトランジスター
包装 :SOT-23
無鉛状態/RoHSの状態 :迎合的な無鉛/RoHS
湿気感受性のレベル(MSL) :1 (無制限)
郵送物方法 :DHL/UPS/Fedex/etc
供給の能力 :859000PCS/Day
包装の細部 :箱/巻き枠/管
港 :シンセン/香港/広州
最低順序量 :10
受渡し時間 :1-7日
支払の言葉 :T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal、Alibaba貿易順序
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プロダクト細部
包装切りなさいテープ(CT)を
部分の状態活動的
FETのタイプN-Channel
技術MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss)60V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C115mA (Ta)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)5V、10V
(最高) @ ID、VgsのRds7.5オーム@ 500mA、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID2.5V @ 250µA
Vgs (最高)±20V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds50pF @ 25V
電力損失(最高)200mW (Ta)
実用温度-55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け表面の台紙
製造者装置パッケージSOT-23 (TO-236AB)
パッケージ/場合TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
基礎部品番号2N7002

1. 標準的な、順序の商品か製造の歓迎。

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