最新の価格を尋ねる
正会員
6 年
Add to Cart
| 包装 | Digi巻き枠 |
|---|---|
| 部分の状態 | 時代遅れ |
| FETのタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 60V |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 25A （Ta） |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 4.5V、10V |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 21 mOhm @ 13A、10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 2.3V @ 1mA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Vgs （最高） | ±20V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 1375pF @ 10V |
| 電力損失（最高） | 1.6W （Ta）、45W （Tc） |
| 実用温度 | 150°C （TJ） |
| タイプの取付け | 表面の台紙 |
| 製造者装置パッケージ | 8-SOP前進（5x5） |
| パッケージ/場合 | 8-PowerVDFN |
Yonlanda Skype: qyt-yolanda1 電子メール: yonlandasong （で） quanyuantong.net |