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6 年
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| 包装 | テープ及び巻き枠（TR） |
|---|---|
| 部分の状態 | 活動的 |
| 運転された構成 | 半橋 |
| チャネル タイプ | 独立した |
| 運転者の数 | 2 |
| ゲートのタイプ | IGBT、N-Channel MOSFET |
| 電圧-供給 | 10V | 20V |
| 論理の電圧- VIL、VIH | 0.8V、2.5V |
| 現在-ピーク出力（源、流し） | 1.9A、2.3A |
| 入れられたタイプ | 非逆になること |
| 最高高い側面の電圧- （ブートストラップ） | 600V |
| 上昇/落下の時間（タイプ） | 40ns、20ns |
| 実用温度 | -40°C | 150°C （TJ） |
| タイプの取付け | 表面の台紙 |
| パッケージ/場合 | 8-SOIC （0.154"、3.90mmの幅） |
| 基礎部品番号 | IRS2181SPBF |
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