Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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GaAsエピウェーハ

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 GaAsエピウェーハ

JDCD10-001-002 2インチガア (100) シドープされた基板

2inch GaAs(100)Siドープ基板 概要GaAs は、インジウム ガリウム ヒ素、アルミニウム ガリウム ヒ素などを含む他の III-V 族半導体のエピタキシャル成長の基板材料としてよく使用されます。 GaAsウェーハのガリウム砒素は、電気から直接レーザー光を発生させる性......
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JDCD10-001-003 2インチ GaAs ((100) Znドーピング基板

2inch GaAs(100) Znドープ基板 概要GaAsウェーハのガリウム砒素は、電気から直接レーザー光を発生させる性質を持っています。GaAsウェーハには2つのタイプがあります。多結晶と単結晶。これらのウェーハは、LED、マイクロ波回路、および LD を作成するために、マイク......
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JDCD10-001-004 2インチガア (111) シドープされた基板

2inch GaAsの(111の) Si添加された基質 概観 GaAsのウエファーのガリウムは半導体、バロメーター、発光ダイオード、温度計および電子回路の生産で使用される一般にある。それは破片で同様に使用されることを容易にするかなり柔らかいおよび銀色の金属。一種のポストの過渡的な金属である......
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JDCD10-001-005 2 インチ GaAs ((111) Znドーピング基板

2inch GaAs(111) Znドープ基板 概要GaAs結晶は、3つの異なる方法で作成できます。より一般的な方法の 1 つは、垂直勾配凍結プロセスです。これは、結晶を成長させてスライスした後、エッジを丸め、研磨してウェーハにします。もう 1 つの方法は、ブリッジマン-ストックバ......
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JDCD10-001-001 2inch GaAs (100) アンドープ基板

2 インチ GaAs (100) アンドープ基板 概要 GaAsウェーハのガリウム砒素は、電気から直接レーザー光を発生させる性質を持っています。GaAsウェーハには2つのタイプがあります。多結晶と単結晶。これらのウェーハは、LED、マイクロ波回路、および LD を作成するために、......
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18mm GaAs Siのウエファー2inch GaAsのUndoped基質VGF S-C-N

2inch GaAsの(100つの) Undoped基質 概観 GaAsはインジウムのガリウム砒素、アルミニウム ガリウム砒素および他を含む他のIII-Vの半導体のエピタキシアル成長のための基質材料として頻繁に使用される。ガリウム砒素(化学式GaAs)はダイオードs、field-effec......
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半導体化合物 2inch GaAsエピウェーハ GaAs Siウェーハ UKAS

GaAs-Si ウェーハ 2 インチ GaAs (100) アンドープ基板 (100)<111>A 方向に 15°±0.5°オフ 概要 ガリウムヒ素 (化学式 GaAs) は、一部のダイオード、電界効果トランジスタ (FET)、および集積回路 (IC) で使用される半......
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光通信ガリウム砒素基板 LED

2 インチ GaAs (100) アンドープ基板 概要 ガリウム砒素は、光通信および制御システムで使用される発光ダイオード (LED) の製造に使用されます。ガリウムヒ素は、リニア IC およびデジタル IC の製造においてシリコンを置き換えることができます。リニア ( アナログ......
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VGF 2 インチ GaAs エピ ウエファー アンドープ基板 サイドポリッシュ エッチング

2 インチ GaAs (100) アンドープ基板 概要 GaAsウェーハのガリウム砒素は、電気から直接レーザー光を発生させる性質を持っています。GaAsウェーハには2つのタイプがあります。多結晶と単結晶。これらのウェーハは、LED、マイクロ波回路、および LD を作成するために、......
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51mm 2インチ GaAsウェーハ アンドープ基板 IF長7mm

50.8±0.2mm 2 インチ GaAs (100) アンドープ基板 7±1mm IF 長 概要 ミニ LED やマイクロ LED の開発により、GaAs 基板で製造された赤色光 LED は、ディスプレイ画面や AR/VR でますます使用されています。GaAsベ......
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