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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
シティ：shanghai
省/州：shanghai
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シリコンのGaN紫外線レーザー 2インチ シリコンのGaNHEMT Epiウエファー UV LD Epiウエファー
シリコンのGaN紫外線レーザー 2インチ シリコンのGaNHEMT Epiウエファー UV LD Epiウエファー
  • シリコンのGaN紫外線レーザー 2インチ シリコンのGaNHEMT Epiウエファー UV LD Epiウエファー
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製品の詳細
シリコンHEMT Epiウエファー上のGaNの紹介 シリコン基のガリウムナトリドHEMT表頭円盤は,ガリウムナトリド (GaN) 材料に基づく高電子移動トランジスタ (HEMT) 表頭円盤である.その構造は主にAlGaNバリア層を含みますこの構造により,ガリウムナイトリドHEMTは高い電子移動性と飽...
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