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2inch C表面Un-doped nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗 < 0="">
概観
Blu-rayのディスク・ドライブかプロジェクターのために光源として使用されるべき半導体レーザーを製造するために適した低い転位密度のGaNの良質の支えがない基質。
ケイ素のGaNの型板は水素化合物の蒸気段階のエピタクシー（HVPE）ベースの方法によってなされる。HVPEプロセスの間にGaNを形作るためにNH3とそれから反応するGaClを形作るために、HClは溶解したGaと反応する。ケイ素のGaNの型板はGaNの単結晶の基質を取り替える費用効果が大きい方法である。
| 2インチの支えがないU-GaN/SI-GaNの基質 | |||||||
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優秀なレベル（S） |
生産のレベル（A） |
研究 レベル（b） |
ダミー レベル（c） |
注: （1）使用可能な区域:端およびマクロ欠陥の排除 （2） 3ポイント:miscutは位置の曲がる（2つ、4、5）は0.35の± 0.15oである |
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| S-1 | S-2 | A-1 | A-2 | ||||
| 次元 | 50.8 ± 1つのmm | ||||||
| 厚さ | 350 ± 25のμm | ||||||
| オリエンテーションの平たい箱 | （1-100の） ± 0.5oの16 ± 1つのmm | ||||||
| 二次オリエンテーションの平たい箱 | （11-20の） ± 3oの8 ± 1つのmm | ||||||
| 抵抗（300K） |
< 0=""> または> 1 x 106 Ω·Semi-insulatingのためのcm （Fe添加される;GaN FS C SIC50） |
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| TTV | ≤ 15のμm | ||||||
| 弓 | ≤ 20のμmの≤ 40のμm | ||||||
| Gaの表面表面の粗さ |
< 0=""> または < 0=""> |
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| Nの表面表面の粗さ |
0.5の~1.5 μm 選択:1~3 nm （良い地面）; < 0=""> |
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| パッケージ | 単一のウエファーの容器のクリーンルームで包まれる | ||||||
| 使用可能な区域 | > 90% | >80% | >70% | ||||
| 転位密度 | <9>5つのcm-2 | <3x10>6つのcm-2 | <9>5つのcm-2 | <3x10>6つのcm-2 | <3x10>6つのcm-2 | ||
| オリエンテーション:M軸線の方の角度を離れたCの平面（0001） |
0.35の± 0.15o （3ポイント） |
0.35の± 0.15o （3ポイント） |
0.35の± 0.15o （3ポイント） |
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| マクロ欠陥密度（穴） | 0のcm-2 | < 0="">-2 | < 1="" cm="">-2 | ||||
| マクロ欠陥の最高のサイズ | < 700=""> | < 2000=""> | < 4000=""> | ||||
私達について
私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。
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私達は工場である。
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支払の <>
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