Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
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国/地域:china
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FWHM<350arcsec Ga2O3のウエファーの単結晶の基質の厚さ0.6mmに0.8mm

FWHM<350arcsec Ga2O3のウエファーの単結晶の基質の厚さ0.6mmに0.8mm
  • FWHM<350arcsec Ga2O3のウエファーの単結晶の基質の厚さ0.6mmに0.8mm
製品の詳細
FWHM2O3<350arcsec Ga="">ウエファーの単結晶の基質の厚さ0.6~0.8mm 10x15mm 2(010) Sn添加された支えがないGa2O3の単結晶の基質プロダクト等級の単一の磨く厚さ0.6~0.8mm FWHM<350arcsec、半導体材料のRa≤0.5nmの抵抗2.00E...
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