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FWHM2O3<350arcsec Ga="">ウエファーの単結晶の基質の厚さ0.6~0.8mm
10x15mm 2(010) Sn添加された支えがないGa2O3の単結晶の基質プロダクト等級の単一の磨く厚さ0.6~0.8mm FWHM<350arcsec、半導体材料のRa≤0.5nmの抵抗2.00E+17Ω/cm-3の光電子工学装置、絶縁層、および紫外線フィルター
Ga2 O3の5結晶段階があるが、ベータGa2 O3は高温に固定してあることができる唯一のものである。β Ga2 O3は超全体のbandgapの高い発電の高い電流密度の縦の構造力装置を製造するために適した例えば=4.8 eVの約禁止された帯域幅の透明な半導体材料の新型である。それに紫外探知器、発光ダイオード（LEDs）およびガス センサーの分野で適用見通しがある。
| ガリウム窒化物の基質--研究のレベル | ||
| 次元 | 10*15mm | 10*10mm |
| 厚さ | 0.6~0.8mm | |
| オリエンテーション | （010） | |
| 添加 | Sn | |
| 磨かれた表面 | 磨かれる単一の側面 | |
| Resistivity/Nd Na | 2.00E+17 | 1.53E+18 |
| FWHM | <350arcsec> | |
| RA | ≤0.5nm | |
| パッケージ | 、窒素の大気の下でクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる | |
私達について
私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。
FAQ
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支払の <>
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