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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
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Ra 0.3nm Ga2O3 単結晶エピタキシャルウェーハ 2インチ 4インチ
Ra 0.3nm Ga2O3 単結晶エピタキシャルウェーハ 2インチ 4インチ
  • Ra 0.3nm Ga2O3 単結晶エピタキシャルウェーハ 2インチ 4インチ
製品の詳細
Ra≤0.3nm 単結晶基板厚 0.6~0.8mm 方位 (-201) 10×10mm2(-201) Fe ドープ自立型 Ga2〇3単結晶基板 製品グレード 片面研磨 厚さ 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≦0.3 nm オプトエレクトロニクスデバイス、半導体材料の絶縁層、UV...
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全セラミック zro2 si3n4 zro2 si3n4 全セラミック インディアム・フォスフィード・ウエフラー

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