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10x10mm2 100(off 6°) Fe ドープされた自立型 Ga2O3 単結晶基板 製品グレードの単一研磨 厚さ 0.6~0.8mm FWHM<350arcsec、Ra≤5nm 光電子デバイス、半導体材料の絶縁層、および UV フィルター
窒化ガリウム デバイスでは、シリコン デバイスに比べて電力密度が大幅に向上します。これは、GaN がはるかに高いスイッチング周波数に耐える能力があるためです。また、高温に耐える能力も向上しています。
窒化ガリウムは、ウルツ鉱型構造を持つダイレクト バンド ギャップ半導体 (バンド ギャップ = 3.4 eV) であり、腐食環境に耐えることができる発光デバイスの製造に使用される材料です。窒化ガリウムは、Ga2O3 と NH3 を 1000°C 程度の高温で反応させることによって調製されます。
| 窒化ガリウム基板 -- 研究レベル | |
| 寸法 | 10×10mm |
| 厚さ | 0.6~0.8mm |
| オリエンテーション | (100)オフ 6° |
| ドーピング | フェ |
| 研磨面 | 片面研磨 |
| 比抵抗/Nd-Na | / |
| FWHM | <350秒角 |
| ラー | ≦5nm |
| パッケージ | 窒素雰囲気下のクラス100のクリーンルーム環境でパッケージング |
私たちに関しては
私たちは、さまざまな材料をウェーハ、基板、およびカスタマイズされた光学ガラス部品に加工することを専門としています。これらの部品は、エレクトロニクス、光学、オプトエレクトロニクス、および他の多くの分野で広く使用されています。また、国内外の多くの大学、研究機関、企業と緊密に連携し、研究開発プロジェクト向けにカスタマイズされた製品とサービスを提供しています。私たちの良い評判によって、すべてのお客様と協力関係を維持することが私たちのビジョンです。
よくある質問
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