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A-Plane±0.2oはサファイアの基質BOW≤-8~0μMの背部表面の粗さ0.8~1.2μmを模造した
2inchはサファイアの基質、LEDの破片、基質材料を模造した
サファイアの基質で作成される規則的なパターンはGaN/サファイア インターフェイスで総内面反射の効果を妨害する。そして、模造されたサファイアの基質のGaNのepilayerの可能な側面成長による転位に通すことの減少からの内部量子効率の利点の強化。
| 2inchはサファイアの基質を模造した | ||
| 項目 | Al2 O3 |
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| 次元 | 50.80±0.10mm | |
| 厚さ | 430±10μm | |
| 平らな端の幅 |
16±1.0mm |
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| 平らな端の角度 | A-plane±0.2o | |
| TTV | ≤5μm | |
| 弓 | ≤-8~0μm | |
| 前部表面の粗さ | ≤0.25nm | |
| 背部表面の粗さ | 0.8~1.2μm | |
| 端 | 円形 | |
| レーザーの作成 | ||
私達について
私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。
FAQ
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私達は工場である。
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支払の <>
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