Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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EPIの準備ができたサファイアの基質のウエファーの端Rのタイプ ミラーは磨いた

EPIの準備ができたサファイアの基質のウエファーの端Rのタイプ ミラーは磨いた
  • EPIの準備ができたサファイアの基質のウエファーの端Rのタイプ ミラーは磨いた
製品の詳細
Thk 430μm 50mmのサファイアの基質のウエファーのウエファーの端のRタイプ ミラーは、EPI準備ができた磨いた JDCD08-001-001直径50mmのサファイアの基質のウエファー、Thk 430μmの長さ(mm)の水晶オリエンテーションC/M0.2、16のLEDの破片、基質材料 サファ...
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