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第一次平らなLengh 32.5mm±2.0mm SiCの種結晶4" Pの等級100.0mm±0.5mm 0.015~0.028ohm.cm
SiCの種結晶4" PGrade
SiCはアヴァランシェ・ブレークダウンを経ないでSiかGaAsより8倍より大きい上の電圧勾配（か電界に）抗できる。この高い故障の電界はダイオードのような非常に高圧、強力な装置、力のtransitors、力のサイリスタおよびサージ サプレッサー、また高い発電マイクロウェーブ装置の製作を可能にする。さらに、それは装置が非常にすぐそばに置かれるようにし高い装置記録密度を集積回路に提供する。
| 6inch SiCのインゴット指定 | ||
| 等級 | 生産の等級 | 模造の等級 |
| Politype | 4H | |
| 直径 | 100.0mm±0.5mm | |
| キャリアのタイプ | Nタイプ | |
| 抵抗 | 0.015~0.028ohm.cm | |
| オリエンテーション | 4.0°±0.2° | |
| 第一次平らなオリエンテーション | {10-10} ±5.0° | |
| 第一次平らなLengh | 32.5mm±2.0mm | |
| 二次平らなオリエンテーション | Si表面:90°cw.from第一次flat±5° | |
| 二次平らな長さ | 18.0mm±2.0mm | |
| 高輝度ライトで端のひび | 放射状のものの≤1mm | 放射状のものの≤3mm |
| 高輝度ライトによる六角形の版 | Size<1mm、累積area<1% | 累積area<5% |
| 高輝度ライトによるPolytype区域 | どれも | ≤5%area |
| MicroPipe密度 | それは破壊試験である。どの不一致でも顧客によって、製造者の再検査のためのサンプル提供されれば。 |
それは破壊試験である。どの不一致でも顧客によって、製造者の再検査のためのサンプル提供されれば。
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| 端の破片 | 最大長および幅の≤1 1つのmm | 最大長および幅の≤3 3つのmm |
私達について
私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。
FAQ
Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
私達は工場である。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
通常それは商品が在庫にあれば3-5日である。
またはそれは量に従って商品が在庫になければ7-10日、それあるである。
Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。
はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <>
支払>=5000USD、先立って80% T/T、郵送物の前のバランス。
