Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Manufacturer from China
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3 年
ホーム / 製品 / Silicon Carbide Crystal / 4" P グレード シリコン カーバイド クリスタル抵抗率 0.015ohm.cm から 0.028ohm.cm /

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4" P グレード シリコン カーバイド クリスタル抵抗率 0.015ohm.cm から 0.028ohm.cm

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製品の詳細
4" P グレード SiC シード クリスタル 抵抗率 0.015~0.028ohm.Cm 32.5mm±2.0mm SiCシードクリスタル 4" P学年 SiC は優れた熱伝導体です。SiC は他の半導体材料よりも熱が流れやすい。実際、室温では、SiC はどの金属よりも熱伝導率が高くなります。この...
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