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レーザープリンターによる印刷の半導体レーザーの破片の実用温度15-55℃出力電力10W
Submountの設計の915nm 10W COSのダイオード レーザーの破片
大規模の統合（Si LSI）が電気の帯域幅の限定からの主要な挑戦に直面した高性能のケイ素の最近の進歩は遅れに信号を送ること当然を相互に連結しまた電気の大きい密度による暖房から相互に連結する。
潜在的解決能力の光学これらの問題を克服することはかなりの興味LSI回路内のルーティング情報の効率的な方法に最終的に導くことができる非常に大きい帯域幅を特色にするのでである相互に連結する。
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光学
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中心の波長
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915nm
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出力電力
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10W
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分光幅FWHM
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≤6nm
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斜面の効率
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1.0W/A
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速い軸線の発散
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60Deg
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遅い軸線の発散
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11Deg
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分極モード
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TE
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エミッターのサイズ
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94um
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電気
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境界の流れ
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0.5A
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動作電流
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12A
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作動の電圧
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1.65V
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力の変換効率
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58%
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上昇温暖気流
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実用温度
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15-55℃
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保管温度
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-30-70℃
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波長の臨時雇用者。係数
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0.3nm/℃
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FAQ
Q1:どんな支払方法を支えるか。
あなたの選択のためのT/Tそしてウェスタン・ユニオン、
Q2:どの位私はパッケージを受け取ってもいいか。
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