Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Manufacturer from China
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4 年
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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
シティ:shanghai
省/州:shanghai
国/地域:china
連絡窓口:Xiwen Bai (Ciel)
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6 インチ N タイプウェーハ P MOS グレード 4H SiC 基板 350.0 ± 25.0um

6 インチ N タイプウェーハ P MOS グレード 4H SiC 基板 350.0 ± 25.0um
  • 6 インチ N タイプウェーハ P MOS グレード 4H SiC 基板 350.0 ± 25.0um
製品の詳細
6インチ4H-SiC基板 N型P-MOSグレード 350.0±25.0μm MPD≦0.2/cm2電力およびマイクロ波デバイスの抵抗率 0.015Ω•cm ~ 0.025Ω•cm 概要 SiC は、ダイオード、パワー トランジスタ、高出力マイクロ波デバイスなど、非常に高電圧で高出力のデバイスの製造に...
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