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半基質350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ωを絶縁するP-Level SIタイプ6inch 4H SiC·cm
6inch 4H SiCの基質のP-level SIタイプの350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ω·力およびマイクロウェーブ装置のためのcm
概観
SiCに次の特性がある:
SiCはダイオード、力トランジスターおよび高い発電マイクロウェーブ装置のような非常に高圧および強力な装置の製作のために使用される。慣習的なSi装置と比較されて、SiCベースの力装置により速い切り替え速度のより高い電圧、小型より低い寄生抵抗が高温機能がより少なく冷却の必須の原因である。
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半基質を絶縁する6inch 4H SiC |
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| 製品性能 | P | D | |
| 結晶形 | 4H | ||
| Polytypic | 割り当てないため | Area≤5% | |
| Micropipe Densitya | ≤0.5/cm2 | ≤5/cm2 | |
| 正方形6つは空ける | 割り当てないため | Area≤5% | |
| 六角形の表面の雑種の水晶 | 割り当てないため | ||
| wrappage a | Area≤0.05% | N/A | |
| 抵抗 | ≥1E9Ω·cm | ≥1E5Ω·cm | |
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（0004） XRD 動揺のカーブ（FWHM）の半分の高さの幅 |
≤45 Arcsecond |
N/A |
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| 直径 | 150.0mm+0.0/-0.2mm | ||
| 表面のオリエンテーション | {0001} ±0.2° | ||
| 主要な基準エッジの長さ | ノッチ | ||
| 二次基準エッジの長さ | 副参照の端無し | ||
| ノッチのオリエンテーション | <1-100>±1° | ||
| ノッチの角度 | 90° +5°/-1° | ||
| 深さのノッチのある程度 | 端1mm +0.25mm/-0mmから | ||
| 生地ごしらえ | C表面:ミラーの終わり、Si表面:化学機械ポーランド語（CMP） | ||
| ウエファーの端 | ウエファーの端の小さな溝 | ||
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表面の粗さ（10μm×10μm）
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Siの表面Ra≤0.2 nm C表面Ra≤0.5 nm
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| 厚さ |
350.0μm±25.0μm
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| LTV （10mm×10mm） a |
≤2µm
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≤3µm
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| TTVa |
≤6µm
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≤10µm
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| Bowa |
≤25µm
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≤40µm
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| Warpa |
≤40µm
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≤60µm
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| 壊れた端/ギャップ | ≥0.5mmの長さそして幅の崩壊の端は許可されない | ≤1.0mmの≤2および各長さおよび幅 | |
| scratcha | ≤5And全長のis≤直径0.5倍の | ≤5および全長is≤1.5の時直径 | |
| 欠陥 | 割り当てないため | ||
| 汚染 | 割り当てないため | ||
| 端の取り外し |
3mm |
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注目:3mmの端の排除はa.と印が付いている項目のために使用される。
私達について
私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。
FAQ
Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
私達は工場である。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
通常それは商品が在庫にあれば3-5日である。
またはそれは量に従って商品が在庫になければ7-10日、それあるである。
Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。
はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <>
支払>=5000USD、先立って80% T/T、郵送物の前のバランス。
