6 インチ 4H-SiC 基板 N タイプ D グレード 350.0±25.0μm MPD≤5/cm2 抵抗率 0.014Ω•cm—0.028Ω•cm 電力およびマイクロ波デバイス用概要炭化ケイ素 (SiC) は、共有ネットワークの固体です。その構造を見ると、シリコンの原子が共有結合の助けを借り...

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