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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

シティ：shanghai

省/州：shanghai

国/地域：china

連絡窓口：Xiwen Bai (Ciel)

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パワーデバイス、マイクロ波デバイス向けPレベル2インチSiC基板

製品の詳細

P-レベル 4H-N/SI<0001>260um±25um パワーデバイスおよびマイクロ波デバイス向け 2 インチ SiC 基板 JDCD03-001-001 2インチSiC基板 Pレベル 4H-N/SI<0001>260μm±25μm パワーデバイスおよびマイクロ波デバイス用概要主な機能次世...

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アノジスアルミUチャネル t細長い穴をつけられたアルミニウムプロフィールアルミニウムラジエーターの利点

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GaNのエピタキシアル ウエファー

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