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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
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0.015Ω•cm0.025Ω•cm SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP
0.015Ω•cm0.025Ω•cm SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP
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製品の詳細
0.015Ω•cm0.025Ω•cm SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面:光学ポーランド語、Si表面CMP 概観 SiCのウエファーはケイ素から成っている半導体材料である。炭化ケイ素のウエファーは水晶のエッチングによってなされる結晶材料である。それは力の半導体デバイスに使用するには普通薄い十...
製品詳細図 →
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硬化ガラスは 刻印できるのか 堅いクロムめっきの指定 全セラミック zro2 si3n4

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