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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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パワーデバイスおよびマイクロ波デバイス用の260μmシリコンカーバイド基板Pレベル
パワーデバイスおよびマイクロ波デバイス用の260μmシリコンカーバイド基板Pレベル
  • パワーデバイスおよびマイクロ波デバイス用の260μmシリコンカーバイド基板Pレベル
製品の詳細
4H-N/SI<0001>260μm±25μm パワーデバイスおよびマイクロ波デバイス向けの 2 インチ SiC 基板 P レベル JDCD03-001-001 2インチSiC基板 Pレベル 4H-N/SI<0001>260μm±25μm パワーデバイスおよびマイクロ波デバイス用 概要 当社は、市場...
製品詳細図 →
商品のタグ：
シリコンカービッドのウエファー 金属基板の催化コンバーター シリコンカービッド密度

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