Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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力装置マイクロウェーブ装置のための2インチの半導体ウエハーPのレベル260μm

力装置マイクロウェーブ装置のための2インチの半導体ウエハーPのレベル260μm
  • 力装置マイクロウェーブ装置のための2インチの半導体ウエハーPのレベル260μm
製品の詳細
JDCD03-001-001力装置およびマイクロウェーブ装置<0001>のための2インチSiCの基質のP-level 4H-N/SI260μm±25μm 概観 炭化ケイ素(SiC)の独特な電子および熱特性作るため理想的にケイ素またはガリウム砒素装置の機能をはるかに越えて作動する高度の強力な、高周波半...
製品詳細図 →