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JDCD03-002-002 4inch 4H SiCの基質のP-level SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω·力およびマイクロウェーブ装置のためのcm
概観
SiCはダイオード、力トランジスターおよび高い発電マイクロウェーブ装置のような非常に高圧および強力な装置の製作のために使用される。慣習的なSi装置と比較されて、SiCベースの力装置により速い切り替え速度のより高い電圧、小型より低い寄生抵抗が高温機能がより少なく冷却の必須の原因である。
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4inch 4H SiCのSemi-insulating基質 |
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| 製品性能 | Pのレベル | Dのレベル | |
| 結晶形 | 4H | ||
| Polytypic | 割り当てないため | Area≤5% | |
| Micropipe Densitya | ≤0.3/cm2 | ≤5/cm2 | |
| 正方形6つは空ける | 割り当てないため | Area≤5% | |
| 六角形の表面の雑種の水晶 | 割り当てないため | Area≤5% | |
| wrappage a | Area≤0.05% | N/A | |
| 抵抗 | ≥1E9Ω·cm | ≥1E5Ω·cm | |
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（動揺のカーブ（FWHM）の0004の） XRDHalfの高さの幅 |
≤45Arcsecond |
N/A |
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| 直径 | 100.0mm+0.0/-0.5mm | ||
| 表面のオリエンテーション | {0001} ±0.2° | ||
| 主要な基準エッジの長さ |
± 32.5 mmの2.0 mm
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| 二次基準エッジの長さ | ± 18.0 mmの2.0 mm | ||
| 主要な基準面のオリエンテーション | 平行<11-20> ± 5.0˚ | ||
| 二次基準面のオリエンテーション | 主要な基準面の˚の± 5.0の˚に右回り90°上向きSi | ||
| 生地ごしらえ | C表面:磨くミラーSi表面:化学機械ポーランド語（CMP） | ||
| ウエファーの端 | 小さな溝の角度 | ||
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表面の粗さ（5μm×5μm）
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Siの表面Ra<0.2 nm
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| 厚さ |
500.0±25.0μm
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| LTV （10mm×10mm） a |
≤2µm
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≤3µm
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| TTVa |
≤6µm
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≤10µm
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| Bowa |
≤15µm
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≤30µm
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| Warpa |
≤25µm
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≤45µm
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| 壊れた端/ギャップ | 0.5mmの長さそして幅の崩壊の端は許可されない | 1.0mmの≤2および各長さおよび幅 | |
| scratcha | ≤4および全長は直径0.5倍のである | ≤5および全長は直径1.5倍のである | |
| 欠陥 | 割り当てないため | ||
| 汚染 | 割り当てないため | ||
| 端の取り外し |
3mm |
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注目:3mmの端の排除はa.と印が付いている項目のために使用される。
私達について
私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。
FAQ
Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
私達は工場である。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
通常それは商品が在庫にあれば3-5日である。
またはそれは量に従って商品が在庫になければ7-10日、それあるである。
Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。
はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <>
支払>=5000USD、先立って80% T/T、郵送物の前のバランス。
