Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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省/州:shanghai
国/地域:china
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2inch GaNのエピタキシアル ウエファーCの表面FeはSIのタイプ自由な地位を添加した

2inch GaNのエピタキシアル ウエファーCの表面FeはSIのタイプ自由な地位を添加した
  • 2inch GaNのエピタキシアル ウエファーCの表面FeはSIのタイプ自由な地位を添加した
製品の詳細
2inch C表面はSIタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗を> 106 Ω Fe添加した·cm RF装置 semi-insulating SiCの(001の)基質のFe添加されたGaNのエピタキシアル層の成長の特徴は高い絶縁破壊電圧装置塗布のためのmetalorganic化学気相堆積を使用...
製品詳細図 →