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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
シティ：shanghai
省/州：shanghai
国/地域：china
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FeはGaNの基質の抵抗を> 10 ⁶ Ω添加した·Cm RF装置
FeはGaNの基質の抵抗を> 10 ⁶ Ω添加した·Cm RF装置
  • FeはGaNの基質の抵抗を> 10 ⁶ Ω添加した·Cm RF装置
製品の詳細
2inch C表面はSIタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗を> 106 Ω Fe添加した·cm RF装置 高い絶縁破壊電圧を支えることができる、より抗力が高いのFe添加されたGaNのエピタキシアル層に帰因するFe添加されたGaNのエピタキシアル層の達成された絶縁破壊電圧は2457ボルト高い...
製品詳細図 →
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rfの半導体 gaasの基質 gan 半導体

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