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2inch C表面はSIタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗を> 106 Ω Fe添加した·cm RF装置
高い絶縁破壊電圧を支えることができる、より抗力が高いのFe添加されたGaNのエピタキシアル層に帰因するFe添加されたGaNのエピタキシアル層の達成された絶縁破壊電圧は2457ボルト高い場合もある。高い絶縁破壊電圧装置に使用したFe添加されたまたこのペーパーでGaNのエピタキシアル層の表面の形態、Feの集中および厚さ間の相関関係の細部は論議される。
| 2インチの支えがないSIGaN基質 | ||||||||
| 優秀なレベル（S） | 生産のレベル（a） | 研究のレベル（b） | 模造のレベル（c） |
注: （1）使用可能な区域:端およびマクロ欠陥の排除 （2） 3ポイント:miscutは位置の曲がる（2つ、4、5）は0.35の± 0.15oである |
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| S-1 | S-2 | A-1 | A-2 | |||||
| 次元 | 50.8 ± 1つのmm | |||||||
| 厚さ | 350 ± 25のμm | |||||||
| オリエンテーションの平たい箱 | （1-100の） ± 0.5oの16 ± 1つのmm | |||||||
| 二次オリエンテーションの平たい箱 | （11-20の） ± 3oの8 ± 1つのmm | |||||||
| 抵抗（300K） | > 1 x 106 Ω·Semi-insulatingのためのcm （Fe添加される;GaN FS C SIC50） | |||||||
| TTV | ≤ 15のμm | |||||||
| 弓 | ≤ 20のμm | ≤ 40のμm | ||||||
| Gaの表面表面の粗さ |
< 0=""> または < 0=""> |
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| Nの表面表面の粗さ |
0.5の~1.5 μm 選択:1~3 nm （良い地面）; < 0=""> |
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| パッケージ | 単一のウエファーの容器のクリーンルームで包まれる | |||||||
| 使用可能な区域 | > 90% | >80% | >70% | |||||
| 転位密度 | <9>x105 cm-2 | <3x10>6つのcm-2 | <9>5つのcm-2 | <3>x106 cm-2 | <3x10>6つのcm-2 | |||
| オリエンテーション:M軸線の方の角度を離れたCの平面（0001） |
0.35の± 0.15o （3ポイント） |
0.35の± 0.15o （3ポイント） |
0.35の± 0.15o （3ポイント） |
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| マクロ欠陥密度（穴） | 0のcm-2 | < 0="">-2 | < 1="" cm="">-2 | |||||
| マクロ欠陥の最高のサイズ | < 700=""> | < 2000=""> | < 4000=""> | |||||
*中国（GB/T32282-2015）の国民の標準
私達について
私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。
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支払の <>
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