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2inch C面FeドープSI型自立GaN単結晶基板 抵抗率＞106Ω・cm RFデバイス
Fe トラップ キャリアと、AlGaN と GaN の界面から生成される 2 次元電子ガスのシート抵抗を低減するために、Fe ドープおよび非ドープ GaN 二重エピ層の厚さ比も最適化されました。FeドープGaNの最適ドーピング濃度とアンドープGaNの適切な厚さを持つAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの開発に成功した。
| 2インチ自立型SI-GaN S基板 | ||||||||
| え素晴らしいレベル (S) | 生産レベル (A) | 研究レベル（B） | ダミーレベル (C) |
ノート： (1) 使用可能領域: エッジおよびマクロ欠陥の除外 (2) 3 点: 位置 (2、4、5) のミスカット角度は 0.35 ± 0.15o |
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| S-1 | S-2 | A-1 | A-2 | |||||
| 寸法 | 50.8±1mm | |||||||
| 厚さ | 350±25μm | |||||||
| オリフラ | (1-100) ± 0.5o、16±1mm | |||||||
| 二次オリフラ | (11-20) ± 3o、8±1mm | |||||||
| 抵抗率 (300K) | > 1×106Ω・cm 半絶縁性 (Feドープ; GaN-FS-C-SI-C50) | |||||||
| TTV | ≦15μm | |||||||
| 弓 | ≦20μm | ≦40μm | ||||||
| Ga面の表面粗さ |
< 0.2 nm (研磨済み) または < 0.3 nm (エピタキシーのための研磨および表面処理) |
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| N面の表面粗さ |
0.5～1.5μm オプション: 1~3 nm (ファイングラウンド);< 0.2 nm (研磨済み) |
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| パッケージ | 枚葉容器にクリーンルームで包装 | |||||||
| 使用可能面積 | > 90% | >80% | >70% | |||||
| 脱臼密度 | <9.9x105cm-2 | <3x106cm-2 | <9.9x105cm-2 | <3x106cm-2 | <3x106cm-2 | |||
| 方位：C面（0001）M軸方向へのオフ角 |
0.35±0.15o (3点) |
0.35±0.15o (3点) |
0.35±0.15o (3点) |
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| マクロ欠陥密度（穴） | 0cm-2 | < 0.3cm-2 | < 1cm-2 | |||||
| マクロ欠陥の最大サイズ | < 700μm | < 2000μm | < 4000μm | |||||
* 中国の国家規格 (GB/T32282-2015)
私たちに関しては
私たちは、さまざまな材料をウェーハ、基板、およびカスタマイズされた光学ガラス部品に加工することを専門としています。これらの部品は、エレクトロニクス、光学、オプトエレクトロニクス、および他の多くの分野で広く使用されています。また、国内外の多くの大学、研究機関、企業と緊密に連携し、研究開発プロジェクト向けにカスタマイズされた製品とサービスを提供しています。私たちの良い評判によって、すべてのお客様と協力関係を維持することが私たちのビジョンです。
よくある質問
Q: あなたは商社ですか、それともメーカーですか?
私たちは工場です。
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通常、在庫がある場合は3～5日です。
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はい、無料でサンプルを提供できますが、運賃はかかりません。
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