5×10.5mm2SP面 (20-21)/(20-2-1) アンドープSI型自立GaN単結晶基板抵抗率 > 106Ω・cm RFデバイスウエハー概要窒化ガリウム（GaN）基板は、高品質の単結晶基板です。独自のHVPE製法と独自に長年培ってきたウェーハ加工技術で作られています。結晶性が高く、均一...

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