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サファイアSSPの平らなサファイアの基質の厚さ650の± 25のμm 4のインチ青いLED GaNのエピタキシアル ウエファー
サファイアSSPの4インチ青いLED GaNのエピタキシアル ウエファー
例えば、GaNは非線形光学頻度倍増の使用なしにバイオレット（405 nm）の半導体レーザーを可能にさせる基質である。電離放射線へのその感受性は低く（他のグループIIIの窒化物のように）、それに衛星の太陽電池の配列のための適した材料をする。軍隊およびスペース適用はまた装置が放射の環境で安定性を示したので寄与できる。
| 4inch GaNサファイアの青/緑LEDのウエファー | ||||
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基質 |
タイプ | 平らなサファイア |
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| ポーランド | （SSP）磨かれる/磨かれる二重側面単一の側面（DSP） | |||
| 次元 | 100 ± 0.2 mm | |||
| オリエンテーション | M軸線0.2の± 0.1°の方の角度を離れたCの平面（0001） | |||
| 厚さ | 650 ± 25のμm | |||
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Epilayer |
構造 | 0.2μm pGaN/0.5μm MQWs/2.5μm nGaN/2.0μmのuGaN | ||
| 厚さ | 5.5 ± 0.5μm | |||
| 荒さ（RA） | <0> | |||
| 転位密度 | < 5="">8つのcm-2 | |||
| 波長 | 青いLED | 緑LED | ||
| 465 ± 10 nm | 525 ± 10 nm | |||
| 波長FWHMs | < 25="" nm=""> | < 40="" nm=""> | ||
| 破片の性能 | voltage@1のさし込みのμA | 2.3-2.5V | 2.2-2.4V | |
| 使用可能な区域 | > 90% （端およびマクロ欠陥の排除） | |||
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パッケージ |
単一のウエファーの容器のクリーンルームで包まれる |
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私達について
私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。
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