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サファイア SSP 上のフラット サファイア 4 インチ青色 LED GaN エピタキシャル ウエハー
サファイアSSP上の4インチ青色LED GaNエピタキシャルウェーハ
LED の動作原理は、半導体 PN 接合に基づいています。半導体の PN 接合は、異なるドーピングの 2 つの半導体領域間の界面です。p側は、半導体の価電子殻と比較して1つ少ない価電子を持つホウ素などのアクセプター不純物でドープされ、N側は、半導体と比較して価電子殻で1つの余分な電子を持つリンなどのドナー不純物でドープされます。
| 4 インチ GaN オン サファイア ブルー/グリーン LED ウエハー | ||||
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基板 |
タイプ | フラットサファイア |
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| 研磨 | 片面研磨（SSP）・両面研磨（DSP） | |||
| 寸法 | 100±0.2mm | |||
| オリエンテーション | C面(0001) M軸方向へのオフ角 0.2 ± 0.1° | |||
| 厚さ | 650±25μm | |||
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エピレイヤー |
構造 | 0.2μm pGaN/0.5μm MQWs/2.5μm nGaN/2.0μm uGaN | ||
| 厚さ | 5.5±0.5μm | |||
| 粗さ (Ra) | <0.5 nm | |||
| 転位密度 | < 5 × 108cm-2 | |||
| 波長 | 青色LED | 緑のLED | ||
| 465±10nm | 525±10nm | |||
| 波長FWHM | < 25nm | < 40nm | ||
| チップ性能 | カットイン電圧@1μA | 2.3～2.5V | 2.2～2.4V | |
| 使用可能面積 | > 90% (エッジおよびマクロ欠陥の除外) | |||
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パッケージ |
枚葉容器にクリーンルームで包装 |
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私たちに関しては
私たちは、さまざまな材料をウェーハ、基板、およびカスタマイズされた光学ガラス部品に加工することを専門としています。これらの部品は、エレクトロニクス、光学、オプトエレクトロニクス、および他の多くの分野で広く使用されています。また、国内外の多くの大学、研究機関、企業と緊密に連携し、研究開発プロジェクト向けにカスタマイズされた製品とサービスを提供しています。私たちの良い評判によって、すべてのお客様と協力関係を維持することが私たちのビジョンです。
よくある質問
Q: あなたは商社ですか、それともメーカーですか?
私たちは工場です。
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