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2インチ自立N-GaN基板N面表面粗さ0.5～1.5μm（片面研磨）
2inch C面Siドープn型GaN自立単結晶基板 比抵抗＜0.05Ω・cm パワーデバイス/レーザーウエハー
概要
これらのGaNウェーハは、プロジェクター光源、電気自動車のインバーターなどに使用される、前例のない超高輝度レーザー ダイオードと高効率パワー デバイスを実現します。
窒化ガリウムは、通常の大気圧で 900 ～ 980 °C の溶融ガリウムにアンモニアガスを注入することによっても合成できます。
| 2インチ自立N-GaN基板 | ||||||
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生産レベル(P) |
Res耳時間(R) |
ダミー(D) |
ノート： (1) 5 点: 5 つの位置のミスカット角度は 0.55 ±0.15 です。o (2) 3 点: 位置 (2、4、5) のミスカット角度は 0.55 ± 0.15o (3) 使用可能領域: 周辺およびマクロ欠陥 (穴) の除外 |
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| P+ | P | P- | ||||
| アイテム | GaN-FS-CN-C50-SSP | |||||
| 寸法 | 50.0±0.3mm | |||||
| 厚さ | 400±30μm | |||||
| オリフラ | (1-100) ±0.1o、12.5±1mm | |||||
| TTV | ≦15μm | |||||
| 弓 | ≦20μm | |||||
| 抵抗率 (300K) | N型（Siドープ）は≦0.02Ω・cm | |||||
| Ga面の表面粗さ | ≤ 0.3 nm (研磨およびエピタキシーの表面処理) | |||||
| N面の表面粗さ | 0.5～1.5μm（片面研磨） | |||||
| C 面 (0001) M 軸方向のオフ角度 (ミスカット角度) |
0.55±0.1o (5点) |
0.55±0.15o (5点) |
0.55±0.15o (3点) |
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| 貫通転位密度 | ≦7.5×105cm-2 | ≤3×106cm-2 | ||||
| 中央の Ф47 mm の穴の数と最大サイズ | 0 | ≤ 3@1000 μm | ≤ 12@1500 μm | ≤ 20@3000 μm | ||
| 使用可能面積 | > 90% | >80% | >70% | |||
| パッケージ | 枚葉容器にクリーンルームで包装 | |||||
私たちに関しては
私たちは、さまざまな材料をウェーハ、基板、およびカスタマイズされた光学ガラス部品に加工することを専門としています。これらの部品は、エレクトロニクス、光学、オプトエレクトロニクス、および他の多くの分野で広く使用されています。また、国内外の多くの大学、研究機関、企業と緊密に連携し、研究開発プロジェクト向けにカスタマイズされた製品とサービスを提供しています。私たちの良い評判によって、すべてのお客様と協力関係を維持することが私たちのビジョンです。
よくある質問
Q: あなたは商社ですか、それともメーカーですか?
私たちは工場です。
Q：納期はどのくらいですか？
通常、在庫がある場合は3～5日です。
または、商品が在庫にない場合は、数量に応じて7〜10日です。
Q: サンプルを提供していますか?それは無料ですか、それとも余分ですか？
はい、無料でサンプルを提供できますが、運賃はかかりません。
Q: 支払条件は何ですか?
お支払い <=5000USD、100% 前払い。
Paymen >=5000USD、前もって 80% T/T、shippment の前のバランス。
