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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

シティ：shanghai

省/州：shanghai

国/地域：china

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企業との接触

A 面 N 型自立型 GaN ガリウム単結晶基板アンドープ

製品の詳細

5*10.5mm2 A面アンドープn型自立GaN単結晶基板抵抗率 < 0.05 Ω・cm パワーデバイス/レーザーウエハー概要窒化ガリウムデバイスでは、シリコンデバイスに比べて電力密度が大幅に向上します。これは、GaN がはるかに高いスイッチング周波数に耐える能力があるためです。また、高...

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アルミベースLEDMCPCB セラミックPCB vs FR4 アルミニウムLEDPCBボード

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GaNのエピタキシアル ウエファー

Sicのエピタキシアル ウエファー