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5*10.5mm2 SP表面（10-11） Un-doped nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗 < 0="">
生成的な敵対的なネットワーク（GANs）は2つのニューラル・ネットワークを使用する実質データのために渡ることができるデータの新しく、総合的な例を発生させるために他に対して1つを凹めるアルゴリズムの建築（こうして「敵対的な」）である。それらはイメージの生成、ビデオ生成および声の生成で広く使用される。
| （10- 11） GaNの支えがない基質に直面しなさい | ||||
| 項目 |
GaN FS SPU S
|
GaN FS SPN S
|
GaN FS SP SIS |
注目: 円アークの角度（R < 2="" mm=""> |
| 次元 | 5つx 10のmm2 | |||
| 厚さ | 350 ±25 µm | |||
| オリエンテーション |
（10 - 11）軸線0 ±0.5°の方の角度を離れた平面 （10 - 11） C軸線の方の角度を離れた平面- 1 ±0.2° |
|||
| 伝導のタイプ | Nタイプ | Nタイプ | Semi-Insulating | |
| 抵抗（300K） | < 0=""> | < 0=""> | > 106 Ω·cm | |
| TTV | ≤ 10のµm | |||
| 弓 | - 10 µmの≤の弓≤ 10のµm | |||
| 前部表面の粗さ |
< 0=""> または < 0=""> |
|||
| 背部表面の粗さ |
0.5の~1.5 μm 選択:1~3 nm （良い地面）; < 0=""> |
|||
| 転位密度 | 1つx 105から3つx 106のcm-2から | |||
| マクロ欠陥密度 | 0のcm-2 | |||
| 使用可能な区域 | > 90% （端の排除） | |||
| パッケージ | 、6 PCSの容器で、窒素の大気の下でクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる | |||
付録:miscutの角度の図表
軸線の方の角度を離れたδなら1 = 0 ±0.5°、（10 - 11）平面は0 ±0.5°である。
δ2 = - C軸線の方の角度を離れた1 ±0.2°、（10 - 11）平面は-ある1 ±0.2°。
私達について
私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。
FAQ
Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
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はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <>
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